Справочник MOSFET. STP6N120K3

 

STP6N120K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP6N120K3
   Маркировка: 6N120K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для STP6N120K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP6N120K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  st
stfw6n120k3 stp6n120k3 stw6n120k3.pdfpdf_icon

STP6N120K3

STFW6N120K3, STP6N120K3,STW6N120K3N-channel 1200 V, 1.95 typ., 6 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-3PF, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesRDS(on) Order codes VDSS max ID Ptot321STFW6N120K3 1200 V

 9.1. Size:96K  st
stp6na60fp.pdfpdf_icon

STP6N120K3

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

 9.2. Size:532K  st
stb6nc80z stp6nc80z.pdfpdf_icon

STP6N120K3

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

 9.3. Size:341K  st
stp6na50 stp6na50fi.pdfpdf_icon

STP6N120K3

Другие MOSFET... STP60NF03L , STP60NF06 , STP60NF06FP , STP60NF06L , STP60NF10 , STP60NS04ZB , STP62NS04Z , STP65NF06 , STP65NF06 , STP6N52K3 , STP6N62K3 , STP6N95K5 , STP6NK50Z , STP6NK60Z , STP6NK90Z , STP70N10F4 , STP70NF03L .

History: SSF3616 | 2N7291 | NTB60N06G | WMB072N12LG2-S | NCE65T900 | CJ2321 | STP130N10F3

 

 
Back to Top

 


 
.