STP70N10F4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP70N10F4
Código: 70N10F4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 85 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
- Selección de transistores por parámetros
STP70N10F4 Datasheet (PDF)
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf

STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V
stp70ns04zc.pdf

STP70NS04ZCN-channel clamped 8m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP70NS04ZC Clamped
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf

STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V
stb70l60 stp70l60.pdf

GrerrPPrPrProSTB/P70L60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 80A 10 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: 2SK1279 | IRL3714LPBF
History: 2SK1279 | IRL3714LPBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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