STP70N10F4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP70N10F4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP70N10F4

STP70N10F4 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K st
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf

STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V

8.1. Size:269K st
stp70ns04zc.pdf

STP70NS04ZCN-channel clamped 8m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP70NS04ZC Clamped

8.2. Size:466K st
stb70nf03l stp70nf03l stb70nf03l-1.pdf

STB70NF03LSTP70NF03L - STB70NF03L-1N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220Low gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTB70NF03L 30V

9.1. Size:175K samhop
stb70l60 stp70l60.pdf

GrerrPPrPrProSTB/P70L60aS mHop Microelectronics C orp.Ver 2.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 80A 10 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)

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Liste

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