STP70NS04ZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP70NS04ZC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 33 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP70NS04ZC datasheet

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STP70NS04ZC

STP70NS04ZC N-channel clamped 8m - 80A TO-220 Fully protected SAFeFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP70NS04ZC Clamped

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STP70NS04ZC

STB70NF03L STP70NF03L - STB70NF03L-1 N-channel 30V - 0.0075 - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB70NF03L 30V

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STP70NS04ZC

STB70N10F4, STD70N10F4 STP70N10F4, STW70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STB70N10F4 100 V

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STP70NS04ZC

Gre r r P Pr Pr Pro STB/P70L60 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Typ VDSS ID High power and current handling capability. 60V 80A 10 @ VGS=10V TO-220 & TO-263 package. D G STB SERIES STP SERIES TO-263(DD-PAK)

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