STP80N20M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP80N20M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP80N20M5 datasheet

 ..1. Size:932K  st
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STP80N20M5

STB80N20M5 STP80N20M5 N-channel 200 V, 0.019 , 61 A, TO-220, D2PAK MDmesh V Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max STB80N20M5 61 A 200 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STP80N20M5

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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stp80nf10fp.pdf pdf_icon

STP80N20M5

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

 8.3. Size:353K  st
stp80nf55.pdf pdf_icon

STP80N20M5

STP80NF55-08 STB80NF55-08 STB80NF55-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-08/-1 55 V

Otros transistores... STP7N52K3, STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, STP7NM80, IRF640, STP80N70F4, STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06