STP80N20M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80N20M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP80N20M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80N20M5 даташит

 ..1. Size:932K  st
stb80n20m5 stp80n20m5.pdfpdf_icon

STP80N20M5

STB80N20M5 STP80N20M5 N-channel 200 V, 0.019 , 61 A, TO-220, D2PAK MDmesh V Power MOSFET Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max STB80N20M5 61 A 200 V

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80N20M5

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 8.2. Size:232K  st
stp80nf10fp.pdfpdf_icon

STP80N20M5

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

 8.3. Size:353K  st
stp80nf55.pdfpdf_icon

STP80N20M5

STP80NF55-08 STB80NF55-08 STB80NF55-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065 - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF55-08/-1 55 V

Другие IGBT... STP7N52K3, STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, STP7NM80, IRF640, STP80N70F4, STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06