STP80N70F4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP80N70F4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 68 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP80N70F4 datasheet

 ..1. Size:653K  st
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STP80N70F4

STP80N70F4 N-channel 68 V, 8.2 m typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP80N70F4 68 V

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STP80N70F4

STP80N70F6 N-channel 68 V, 0.0063 typ., 96 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet - production data Features TAB VDSS Order code RDS(on) max. ID PTOT max.

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STP80N70F4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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stp80nf10fp.pdf pdf_icon

STP80N70F4

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

Otros transistores... STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, STP7NM80, STP80N20M5, IRF1404, STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06, STP80NS04ZB