STP80N70F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP80N70F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP80N70F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP80N70F4 даташит

 ..1. Size:653K  st
stp80n70f4.pdfpdf_icon

STP80N70F4

STP80N70F4 N-channel 68 V, 8.2 m typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet production data Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP80N70F4 68 V

 5.1. Size:773K  st
stp80n70f6.pdfpdf_icon

STP80N70F4

STP80N70F6 N-channel 68 V, 0.0063 typ., 96 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package Datasheet - production data Features TAB VDSS Order code RDS(on) max. ID PTOT max.

 8.1. Size:447K  st
stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdfpdf_icon

STP80N70F4

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

 8.2. Size:232K  st
stp80nf10fp.pdfpdf_icon

STP80N70F4

STP80NF10FP N-channel 100V - 0.012 - 38A - TO-220FP Low gate charge STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID(1) STP80NF10FP 100V

Другие IGBT... STP7N95K3, STP7NK30Z, STP7NK40Z, STP7NK80Z, STP7NK80ZFP, STP7NM60N, STP7NM80, STP80N20M5, IRF1404, STP80NF06, STP80NF10, STP80NF10FP, STP80NF12, STP80NF55-06, STP80NF55-08, STP80NF55L-06, STP80NS04ZB