STP80NF06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP80NF06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP80NF06 datasheet

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STP80NF06

STP80NF06 - STB80NF06 STW80NF06 N-channel 60V - 0.0065 - 80A TO-220/D2PAK/TO-247 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF06 60V

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STP80NF06

STP80NF03L-04 STB80NF03L-04 STB80NF03L-04-1 N-CHANNEL 30V - 0.0035 - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STB80NF03L-04/-1 30 V

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STP80NF06

STP80NF03L N-CHANNEL 30V - 0.004 - 80ATO-220 STripFET II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP80NF03L 30 V

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stb80nf55-06 stb80nf55-06-1 stp80nf55-06 stp80nf55-06fp.pdf pdf_icon

STP80NF06

STB80NF55-06 - STB80NF55-06-1 STP80NF55-06 - STP80NF55-06FP N-channel 55V - 0.005 - 80A - TO-220 /FP - I2PAK - D2PAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB80NF55-06 55V

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