STP8NK100Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP8NK100Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.85 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP8NK100Z datasheet
stf8nk100z stp8nk100z.pdf
STF8NK100Z STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Pw Type STF8NK100Z 1000 V
stp8nk80z.pdf
STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP8NK80Z 800 V
stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf
STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP8NK80Z 800 V
stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf
STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V
Otros transistores... STP80NF55L-06, STP80NS04ZB, STP80PF55, STP85N15F4, STP85N3LH5, STP85NF55, STP85NF55L, STP8N65M5, IRFP250N, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
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