STP8NK100Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP8NK100Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.85 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP8NK100Z datasheet

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STP8NK100Z

STF8NK100Z STP8NK100Z N-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features VDSS RDS(on) ID Pw Type STF8NK100Z 1000 V

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STP8NK100Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP8NK80Z 800 V

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STP8NK100Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP8NK80Z 800 V

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STP8NK100Z

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

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