Справочник MOSFET. STP8NK100Z

 

STP8NK100Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP8NK100Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NK100Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  st
 stf8nk100z stp8nk100z.pdf pdf_icon

STP8NK100Z

STF8NK100ZSTP8NK100ZN-CHANNEL 1000V - 1.60 - 6.5A - TO-220 - TO-220FPZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS RDS(on) ID PwTypeSTF8NK100Z 1000 V

 8.1. Size:472K  st
 stp8nk80z.pdf pdf_icon

STP8NK100Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP8NK80Z 800 V

 8.2. Size:422K  st
 stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf pdf_icon

STP8NK100Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP8NK80Z 800 V

 8.3. Size:338K  st
 stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf pdf_icon

STP8NK100Z

STP8NK85ZSTF8NK85ZN-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FPZener - protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NK85Z 850 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM7002NSF | TK20A60T | SSF65R090S2 | MTP4411M3

 

 
Back to Top

 


 
.