STP8NK80Z Todos los transistores

 

STP8NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP8NK80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP8NK80Z Datasheet (PDF)

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STP8NK80Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247Zener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP8NK80Z 800 V

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STP8NK80Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP8NK80Z 800 V

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STP8NK80Z

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP8NK80ZFPDESCRIPTIONDrain Current I =6.2A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSS100% avalanche testedFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETE

 7.1. Size:338K  st
 stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf pdf_icon

STP8NK80Z

STP8NK85ZSTF8NK85ZN-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FPZener - protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NK85Z 850 V

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History: FHP40N20C | KNF6180A

 

 
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