STP8NK80Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP8NK80Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP8NK80Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP8NK80Z datasheet

..1. Size:472K st
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STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-CHANNEL 800V - 1.3 - 6.2A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP8NK80Z 800 V

..2. Size:422K st
stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf pdf_icon

STP8NK80Z - STP8NK80ZFP STW8NK80Z N-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP8NK80Z 800 V

0.1. Size:201K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STP8NK80ZFP DESCRIPTION Drain Current I =6.2A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =800V(Min) DSS 100% avalanche tested Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETE

7.1. Size:338K st
stf8nk85z stp8nk85z stp8nk85z stf8nk85z.pdf pdf_icon

STP8NK85Z STF8NK85Z N-channel 850V - 1.1 - 6.7A - TO-220 /TO-220FP Zener - protected SuperMESH Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NK85Z 850 V

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