STP8NM50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP8NM50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP8NM50 datasheet

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STP8NM50

STP8NM50 STP8NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NM50 500V

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STP8NM50

STP8NM50 STP8NM50FP N-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NM50 550V

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STP8NM50

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

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STP8NM50

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

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