STP8NM50 Todos los transistores

 

STP8NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP8NM50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP8NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  st
 stp8nm50.pdf pdf_icon

STP8NM50

STP8NM50STP8NM50FPN-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FPMDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP8NM50 500V

 ..2. Size:286K  st
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STP8NM50

STP8NM50STP8NM50FPN-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FPMDmesh Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP8NM50 550V

 0.1. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STP8NM50

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

 8.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM50

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

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History: 2N6800SM | BLM05N03-D

 

 
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