STP8NM50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NM50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP8NM50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NM50 даташит

 ..1. Size:329K  st
 stp8nm50.pdf pdf_icon

STP8NM50

STP8NM50 STP8NM50FP N-CHANNEL 500V - 0.7 - 8A TO-220/TO-220FP MDmesh Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NM50 500V

 ..2. Size:286K  st
 stp8nm50fp stp8nm50 stp8nm50fp.pdf pdf_icon

STP8NM50

STP8NM50 STP8NM50FP N-channel 550V @ Tjmax - 0.7 - 8A - TO-220 - TO-220FP MDmesh Power MOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) STP8NM50 550V

 0.1. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STP8NM50

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

 8.1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STP8NM50

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP85N15F4, STP85N3LH5, STP85NF55, STP85NF55L, STP8N65M5, STP8NK100Z, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, AON7408, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, STP90N4F3, STP90N55F4, STP90NF03L