STP8NS25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP8NS25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP8NS25 datasheet

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STP8NS25

STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

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STP8NS25

STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

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STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

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STP8NS25

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

Otros transistores... STP8N65M5, STP8NK100Z, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, IRF9540N, STP90N15F4, STP90N4F3, STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3