STP8NS25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP8NS25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP8NS25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP8NS25 даташит

 ..1. Size:332K  st
stp8ns25 stp8ns25fp.pdfpdf_icon

STP8NS25

STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

 ..2. Size:329K  st
stp8ns25.pdfpdf_icon

STP8NS25

STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

 0.1. Size:222K  st
stp8ns25fp.pdfpdf_icon

STP8NS25

STP8NS25 STP8NS25FP N-CHANNEL 250V - 0.38 - 8A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STP8NS25 250 V

 9.1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STP8NS25

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

Другие IGBT... STP8N65M5, STP8NK100Z, STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, IRF9540N, STP90N15F4, STP90N4F3, STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3