STP90N4F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP90N4F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP90N4F3 datasheet

 8.1. Size:466K  st
sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STH90N15F4-2 STP90N15F4 N-channel 150 V, 12.5 m , 95 A TO-220, H2PAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) max ID STH90N15F4-2 150 V

 8.2. Size:325K  st
stp90ns04zc.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STP90NS04ZC N-channel clamped 5m - 80A TO-220 Fully protected SAFeFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP90NS04ZC Clamped

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stp90n6f6.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STP90N6F6 N-channel 60 V, 0.0057 typ., 90 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP90N6F6 60 V 0.0063 90 A 136 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure

Otros transistores... STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, IRLB4132, STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3, STP9NK50Z, STP9NK60Z