STP90N4F3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP90N4F3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP90N4F3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP90N4F3 даташит

 ..1. Size:802K  st
 std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf pdf_icon

STP90N4F3

 8.1. Size:466K  st
 sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STH90N15F4-2 STP90N15F4 N-channel 150 V, 12.5 m , 95 A TO-220, H2PAK STripFET DeepGATE Power MOSFET Preliminary data Features Type VDSS RDS(on) max ID STH90N15F4-2 150 V

 8.2. Size:325K  st
 stp90ns04zc.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STP90NS04ZC N-channel clamped 5m - 80A TO-220 Fully protected SAFeFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STP90NS04ZC Clamped

 8.3. Size:367K  st
 stp90n6f6.pdf pdf_icon

STP90N4F3

STP90N6F6 N-channel 60 V, 0.0057 typ., 90 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STP90N6F6 60 V 0.0063 90 A 136 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP8NK80Z, STP8NK80ZFP, STP8NM50, STP8NM50N, STP8NM60, STP8NM60ND, STP8NS25, STP90N15F4, IRLB4132, STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3, STP9NK50Z, STP9NK60Z