STP90NS04ZC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STP90NS04ZC
   Código: P90NS04ZC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 33 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP90NS04ZC

STP90NS04ZC Datasheet (PDF)

..1. Size:325K st
stp90ns04zc.pdf

STP90NS04ZCN-channel clamped 5m - 80A TO-220Fully protected SAFeFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP90NS04ZC Clamped

8.1. Size:466K st
sth90n15f4-2 stp90n15f4.pdf

STH90N15F4-2STP90N15F4N-channel 150 V, 12.5 m, 95 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N15F4-2 150 V

8.2. Size:802K st
std90n4f3 sti90n4f3 stp90n4f3 stu90n4f3.pdf

STD90N4F3, STI90N4F3STP90N4F3, STU90N4F3N-channel 40 V, 5.0 m, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) 3Type VDSS ID Pw3max 121STD90N4F3 40 V

8.3. Size:367K st
stp90n6f6.pdf

STP90N6F6 N-channel 60 V, 0.0057 typ., 90 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTP90N6F6 60 V 0.0063 90 A 136 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description Figure

8.4. Size:274K st
stp90nf03l.pdf

STP90NF03LSTB90NF03L-1N-CHANNEL 30V - 0.0056 - 90A TO-220/I2PAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP90NF03L 30 V

8.5. Size:636K st
sth90n55f4-2 stp90n55f4.pdf

STH90N55F4-2STP90N55F4N-channel 55 V, 0.0064 , 90 A TO-220, H2PAKSTripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTH90N55F4-2 55 V

8.6. Size:247K st
stp90nf03l stb90nf03l-1.pdf

STP90NF03LSTB90NF03L-1N-channel 30V - 0.0056 -90A TO-220/I2PAKLow gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STP90NF03L 30V

8.7. Size:758K cn vbsemi
stp90n55f4.pdf

STP90N55F4www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.005 at VGS = 10 V 120 Material categorization:600.008 at VGS = 7.5 V100TO-220ABDGSN-Channel MOSFETG D SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit

8.8. Size:206K inchange semiconductor
stp90nf03l.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STP90NF03LFEATURESTypical R (on)=0.0056DSConduction losses reducedSwitching losses reduced100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: