STP9NK65Z MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STP9NK65Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9NK65Z

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP9NK65Z datasheet

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..2. Size:158K st
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STP9NK65Z STP9NK65ZFP N-CHANNEL 650V - 1 - 7A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TARGET DATA TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK65Z 650 V

7.1. Size:409K st
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STB9NK60ZD STF9NK60ZD - STP9NK60ZD N-channel 600 V - 0.85 - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB9NK60ZD 600 V

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stb9nk60z stp9nk60z stp9nk60zfp.pdf pdf_icon

STB9NK60Z, STP9NK60Z, STP9NK60ZFP N-channel 600 V, 0.85 typ., 7 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 3 STB9NK60ZT4 3 1 2 125 W 600 1 STP9NK60Z 0.95 7 A 2 V D PAK TO-220 STP9NK60ZFP 30 W Extremely high dv/dt capability Improved ESD

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