STP9NK65Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP9NK65Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP9NK65Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP9NK65Z даташит

 ..1. Size:345K  st
 stp9nk65z stp9nk65zfp.pdf pdf_icon

STP9NK65Z

 ..2. Size:158K  st
 stp9nk65z.pdf pdf_icon

STP9NK65Z

STP9NK65Z STP9NK65ZFP N-CHANNEL 650V - 1 - 7A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TARGET DATA TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP9NK65Z 650 V

 7.1. Size:409K  st
 stb9nk60zdt4 stp9nk60zd.pdf pdf_icon

STP9NK65Z

STB9NK60ZD STF9NK60ZD - STP9NK60ZD N-channel 600 V - 0.85 - 7 A - D2PAK, TO-220FP, TO-220 SuperFREDMesh Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max STB9NK60ZD 600 V

 7.2. Size:503K  st
 stb9nk60z stp9nk60z stp9nk60zfp.pdf pdf_icon

STP9NK65Z

STB9NK60Z, STP9NK60Z, STP9NK60ZFP N-channel 600 V, 0.85 typ., 7 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D PAK, TO-220 and TO-220FP packages Datasheet - production data Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 3 STB9NK60ZT4 3 1 2 125 W 600 1 STP9NK60Z 0.95 7 A 2 V D PAK TO-220 STP9NK60ZFP 30 W Extremely high dv/dt capability Improved ESD

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STP90N55F4, STP90NF03L, STP90NS04ZC, STP95N2LH5, STP95N3LLH6, STP95N4F3, STP9NK50Z, STP9NK60Z, AON7410, STP9NK65ZFP, STP9NK70Z, STP9NK70ZFP, STP9NK90Z, STP9NM60N, STQ1HNK60R, STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP