STQ2HNK60ZR-AP Todos los transistores

 

STQ2HNK60ZR-AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STQ2HNK60ZR-AP
   Código: Q2HNK60ZR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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STQ2HNK60ZR-AP Datasheet (PDF)

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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STQ2HNK60ZR-APDatasheetN-channel 600 V, 3.5 typ., 2 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-92 packagesFeaturesVDS RDS(on)max. IDOrder code PackageSTD2HNK60Z DPAKSTD2HNK60Z-1 2 A IPAK600 V 4.8 STF2HNK60Z TO-220FPSTQ2HNK60ZR-AP 0.5 A TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche testedD(2, TA

 ..2. Size:501K  st
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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-APN-channel 600V - 4.4 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOT3321STD2HNK60Z 600V

 4.1. Size:884K  st
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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STD2HNK60Z-APN-channel 600 V, 4.4 , 2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-92-TO-220FP-DPAK-IPAK packagesDatasheet production dataFeatures TABRDS(on) 3Order codes VDSS max. ID PTOT3121DPAKSTD2HNK60Z 600 V

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