STQ2HNK60ZR-AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STQ2HNK60ZR-AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO92

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STQ2HNK60ZR-AP datasheet

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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STQ2HNK60ZR-AP Datasheet N-channel 600 V, 3.5 typ., 2 A SuperMESH Power MOSFETs in DPAK, IPAK, TO-220FP and TO-92 packages Features VDS RDS(on)max. ID Order code Package STD2HNK60Z DPAK STD2HNK60Z-1 2 A IPAK 600 V 4.8 STF2HNK60Z TO-220FP STQ2HNK60ZR-AP 0.5 A TO-92 Extremely high dv/dt capability 100% avalanche tested D(2, TA

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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z - STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z - STQ2HNK60ZR-AP N-channel 600V - 4.4 - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID PTOT 3 3 2 1 STD2HNK60Z 600V

 4.1. Size:884K  st
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STQ2HNK60ZR-AP

STD2HNK60Z, STD2HNK60Z-1 STF2HNK60Z, STD2HNK60Z-AP N-channel 600 V, 4.4 , 2 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-92-TO-220FP-DPAK-IPAK packages Datasheet production data Features TAB RDS(on) 3 Order codes VDSS max. ID PTOT 3 1 2 1 DPAK STD2HNK60Z 600 V

Otros transistores... STP9NK65Z, STP9NK65ZFP, STP9NK70Z, STP9NK70ZFP, STP9NK90Z, STP9NM60N, STQ1HNK60R, STQ1NK60ZR, NCEP15T14, STQ2NK60ZR-AP, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, STS12N3LLH5, STS12NF30L