STS12N3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS12N3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de STS12N3LLH5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STS12N3LLH5 datasheet

 ..1. Size:526K  st
 sts12n3llh5.pdf pdf_icon

STS12N3LLH5

 8.1. Size:335K  st
 sts12nh3ll.pdf pdf_icon

STS12N3LLH5

STS12NH3LL N-channel 30 V - 0.008 - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NH3LL 30 V

 8.2. Size:324K  st
 sts12nf30l.pdf pdf_icon

STS12N3LLH5

STS12NF30L N-channel 30V - 0.008 - 12A SO-8 STripFET II Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STS12NF30L 30V

 9.1. Size:94K  samhop
 sts126.pdf pdf_icon

STS12N3LLH5

Gre r r P Pr Pr Pro STS126 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 2.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. Surface Mount Package. 100V 1.4A 312 @ VGS=10V D SOT-23 G S (TA=25 C unless otherwise noted) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Sym

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STQ1NK60ZR, STQ2HNK60ZR-AP, STQ2NK60ZR-AP, STQ3N45K3-AP, STS10DN3LH5, STS10N3LH5, STS11N3LLH5, STS11NF30L, 4N60, STS12NF30L, STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, STS20N3LLH6