STS2DNF30L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS2DNF30L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SO8

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STS2DNF30L datasheet

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STS2DNF30L

STS2DNF30L Dual n-channel 30 V, 0.09 , 3 A SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS2DNF30L 30V

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STS2DNF30L

STS2DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8 STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER PRELIMINARY DATA MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 30 V

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STS2DNF30L

STS2DNE60 DUAL N-CHANNEL 60V - 0.180 - 2A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS2DNE60 60 V

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STS2DNF30L

STS2DPFS20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID

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