STS2DNF30L Todos los transistores

 

STS2DNF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS2DNF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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STS2DNF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  st
 sts2dnf30l.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNF30LDual n-channel 30 V, 0.09 , 3 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS2DNF30L 30V

 7.1. Size:133K  st
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STS2DNF30L

STS2DNFS30LN-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERPRELIMINARY DATAMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID30 V

 8.1. Size:273K  st
 sts2dne60.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNE60DUAL N-CHANNEL 60V - 0.180 - 2A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS2DNE60 60 V

 9.1. Size:216K  st
 sts2dpfs20v.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DPFS20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-82.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODEMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID

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History: PP4B10BF | SI1025X | IRF2804PBF

 

 
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