Справочник MOSFET. STS2DNF30L

 

STS2DNF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS2DNF30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS2DNF30L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS2DNF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  st
sts2dnf30l.pdfpdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNF30LDual n-channel 30 V, 0.09 , 3 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS2DNF30L 30V

 7.1. Size:133K  st
sts2dnfs30l.pdfpdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNFS30LN-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERPRELIMINARY DATAMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID30 V

 8.1. Size:273K  st
sts2dne60.pdfpdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNE60DUAL N-CHANNEL 60V - 0.180 - 2A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS2DNE60 60 V

 9.1. Size:216K  st
sts2dpfs20v.pdfpdf_icon

STS2DNF30L

STS2DPFS20VP-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-82.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODEMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID

Другие MOSFET... STS13N3LLH5 , STS14N3LLH5 , STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , STS1NK60Z , STS20N3LLH6 , STS26N3LLH6 , 2N60 , STS3N95K3 , STS4DNF30L , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L , STS4DPF30L , STS4NF100 , STS5DNF20V .

History: IRF2804PBF

 

 
Back to Top

 


 
.