STS2DNF30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS2DNF30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS2DNF30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS2DNF30L даташит

 ..1. Size:295K  st
 sts2dnf30l.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNF30L Dual n-channel 30 V, 0.09 , 3 A SO-8 STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STS2DNF30L 30V

 7.1. Size:133K  st
 sts2dnfs30l.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNFS30L N-CHANNEL 30V - 0.09 - 3A SO-8 STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER PRELIMINARY DATA MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 30 V

 8.1. Size:273K  st
 sts2dne60.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DNE60 DUAL N-CHANNEL 60V - 0.180 - 2A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS2DNE60 60 V

 9.1. Size:216K  st
 sts2dpfs20v.pdf pdf_icon

STS2DNF30L

STS2DPFS20V P-CHANNEL 20V - 0.14 - 2.5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STS13N3LLH5, STS14N3LLH5, STS19N3LLH6, STS1DN45K3, STS1DNC45, STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, 20N50, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, STS4DPF20L, STS4DPF30L, STS4NF100, STS5DNF20V