STS4DNF30L Todos los transistores

 

STS4DNF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS4DNF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STS4DNF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  st
 sts4dnf30l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNF30LDual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS4DNF30L 30 V

 7.1. Size:592K  st
 sts4dnf60l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNF60LN-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60L 60V

 7.2. Size:308K  st
 sts4dnfs30.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNFS30N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8STripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4DNFS30 30V

 7.3. Size:292K  st
 sts4dnfs30l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNFS30LN-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifierGeneral featuresMOSFET VDSS RDS(on) ID30V

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History: HAF2002 | SI1403BDL

 

 
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