STS4DNF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS4DNF30L
Código: 4DF30L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS4DNF30L
STS4DNF30L Datasheet (PDF)
sts4dnf30l.pdf
STS4DNF30LDual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS4DNF30L 30 V
sts4dnf60l.pdf
STS4DNF60LN-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60L 60V
sts4dnfs30.pdf
STS4DNFS30N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8STripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4DNFS30 30V
sts4dnfs30l.pdf
STS4DNFS30LN-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifierGeneral featuresMOSFET VDSS RDS(on) ID30V
sts4dnf60.pdf
STS4DNF60N-channel 60V - 0.070 - 4A - SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60 60V
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Liste
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