Справочник MOSFET. STS4DNF30L

 

STS4DNF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS4DNF30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS4DNF30L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DNF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  st
 sts4dnf30l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNF30LDual N-channel 30 V, 0.039 , 4 A SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max. IDSTS4DNF30L 30 V

 7.1. Size:592K  st
 sts4dnf60l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNF60LN-channel 60 V, 0.045 , 4 A, SO-8STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTS4DNF60L 60V

 7.2. Size:308K  st
 sts4dnfs30.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNFS30N-channel - 30V - 0.044 - 4.5A SO-8STripFET Power MOSFET plus schottky rectifierGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS4DNFS30 30V

 7.3. Size:292K  st
 sts4dnfs30l.pdf pdf_icon

STS4DNF30L

STS4DNFS30LN-channel 30V - 0.044 - 4A SO-8STripFET MOSFET plus SCHOTTKY rectifierGeneral featuresMOSFET VDSS RDS(on) ID30V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STS19N3LLH6 , STS1DN45K3 , STS1DNC45 , STS1NK60Z , STS20N3LLH6 , STS26N3LLH6 , STS2DNF30L , STS3N95K3 , IRFB31N20D , STS4DNF60L , STS4DNFS30L , STS4DPF20L , STS4DPF30L , STS4NF100 , STS5DNF20V , STS5DNF60L , STS5N15F3 .

History: TPB70R950C | SIR468DP | 2SK3684-01S | PJZ6NA90 | 13N50L-TQ2-T | SSW80R160SFD | AP9965GEH

 

 
Back to Top

 


 
.