STS4DPF20L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS4DPF20L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS4DPF20L

STS4DPF20L Datasheet (PDF)

..1. Size:252K st
sts4dpf20l.pdf

STS4DPF20LDUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPF20L 20 V

7.1. Size:259K st
sts4dpfs20l.pdf

STS4DPFS20LP-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID20 V

7.2. Size:108K st
sts4dpf30l.pdf

STS4DPF30LDUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 - 4A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPF30L 30 V

7.3. Size:326K st
sts4dpfs30l.pdf

STS4DPFS30LP-CHANNEL 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERTable 1: General Features Figure 1: PackageMOSFET TYPE VDSS RDS(on) IDSTS4DPFS30L 30 V

7.4. Size:264K st
sts4dpfs2ls.pdf

STS4DPFS2LSP-CHANNEL 20V - 0.06 - 4A SO-8STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIERMAIN PRODUCT CHARACTERISTICSMOSFET VDSS RDS(on) ID20 V

7.5. Size:926K cn vbsemi
sts4dpf30l.pdf

STS4DPF30Lwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

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Liste

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