STS4DPF20L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS4DPF20L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS4DPF20L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS4DPF20L даташит

 ..1. Size:252K  st
 sts4dpf20l.pdf pdf_icon

STS4DPF20L

STS4DPF20L DUAL P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF20L 20 V

 7.1. Size:259K  st
 sts4dpfs20l.pdf pdf_icon

STS4DPF20L

STS4DPFS20L P-CHANNEL 20V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS MOSFET VDSS RDS(on) ID 20 V

 7.2. Size:108K  st
 sts4dpf30l.pdf pdf_icon

STS4DPF20L

STS4DPF30L DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 - 4A SO-8 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPF30L 30 V

 7.3. Size:326K  st
 sts4dpfs30l.pdf pdf_icon

STS4DPF20L

STS4DPFS30L P-CHANNEL 30V - 0.045 - 5A SO-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER Table 1 General Features Figure 1 Package MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS4DPFS30L 30 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STS1NK60Z, STS20N3LLH6, STS26N3LLH6, STS2DNF30L, STS3N95K3, STS4DNF30L, STS4DNF60L, STS4DNFS30L, 2N60, STS4DPF30L, STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L