STS5DNF20V Todos los transistores

 

STS5DNF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS5DNF20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

STS5DNF20V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  st
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STS5DNF20V

STS5DNF20VN-channel 20 V, 0.030 , 5 A SO-82.7 V, drive STripFET II Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID

 7.1. Size:513K  st
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STS5DNF20V

STS5DNF60LAutomotive-grade dual N-channel 60 V, 0.035 typ., 5 ASTripFET II Power MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max. IDSTS5DNF60L 60 V 0.045 5 A AEC-Q101 qualified Low threshold driveSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis Power MOSFET has been d

 7.2. Size:952K  cn vbsemi
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STS5DNF20V

STS5DNF60Lwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Chann

 8.1. Size:75K  st
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STS5DNF20V

STS5DNE30LN - CHANNEL 30V - 0.039 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5DNE30L 30 V

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History: IRLI3803PBF | NCE80H12

 

 
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