STS5N15F3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STS5N15F3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS5N15F3
STS5N15F3 Datasheet (PDF)
sts5n15f3.pdf
STS5N15F3N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8STripFETTM III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F3 150 V
sts5n15f4.pdf
STS5N15F4N-channel 150 V, 0.057, 5 A, SO-8STripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F4 150 V
sts5ns150.pdf
STS5NS150N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NS150 150 V
sts5nf60l.pdf
STS5NF60LN-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60V
sts5nf60.pdf
STS5NF60LN - CHANNEL 60V - 0.045 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60 V
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