STS5N15F3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STS5N15F3
Маркировка: 5F15-
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.057 Ohm
Тип корпуса: SO8
STS5N15F3 Datasheet (PDF)
sts5n15f3.pdf
STS5N15F3N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8STripFETTM III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F3 150 V
sts5n15f4.pdf
STS5N15F4N-channel 150 V, 0.057, 5 A, SO-8STripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F4 150 V
sts5ns150.pdf
STS5NS150N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NS150 150 V
sts5nf60l.pdf
STS5NF60LN-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60V
sts5nf60.pdf
STS5NF60LN - CHANNEL 60V - 0.045 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
