STS5N15F4 Todos los transistores

 

STS5N15F4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS5N15F4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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STS5N15F4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:712K  st
 sts5n15f4.pdf pdf_icon

STS5N15F4

STS5N15F4N-channel 150 V, 0.057, 5 A, SO-8STripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F4 150 V

 6.1. Size:569K  st
 sts5n15f3.pdf pdf_icon

STS5N15F4

STS5N15F3N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8STripFETTM III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F3 150 V

 9.1. Size:277K  st
 sts5ns150.pdf pdf_icon

STS5N15F4

STS5NS150N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NS150 150 V

 9.2. Size:309K  st
 sts5nf60l.pdf pdf_icon

STS5N15F4

STS5NF60LN-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60V

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History: FQPF5N50CTTU | AP9467AGH-HF | 2SK3099LS | ZXMN3A01F | HY5208W | 10N65KL-T2Q-T | 2SK3596-01L

 

 
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