STS5N15F4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STS5N15F4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS5N15F4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: SO8

Búsqueda de reemplazo de STS5N15F4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:712K st
sts5n15f4.pdf pdf_icon

STS5N15F4 N-channel 150 V, 0.057 , 5 A, SO-8 STripFET DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS5N15F4 150 V

6.1. Size:569K st
sts5n15f3.pdf pdf_icon

STS5N15F3 N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8 STripFETTM III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS5N15F3 150 V

9.1. Size:277K st
sts5ns150.pdf pdf_icon

STS5NS150 N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS5NS150 150 V

9.2. Size:309K st
sts5nf60l.pdf pdf_icon

STS5NF60L N-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS5NF60L 60V