STS5N15F4 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STS5N15F4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS5N15F4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS5N15F4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:712K st
sts5n15f4.pdf pdf_icon

STS5N15F4 N-channel 150 V, 0.057 , 5 A, SO-8 STripFET DeepGATE Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS5N15F4 150 V

6.1. Size:569K st
sts5n15f3.pdf pdf_icon

STS5N15F3 N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8 STripFETTM III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS5N15F3 150 V

9.1. Size:277K st
sts5ns150.pdf pdf_icon

STS5NS150 N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS5NS150 150 V

9.2. Size:309K st
sts5nf60l.pdf pdf_icon

STS5NF60L N-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS5NF60L 60V