STS5NF60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS5NF60L
   Código: S5NF60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS5NF60L

STS5NF60L Datasheet (PDF)

..1. Size:309K st
sts5nf60l.pdf

STS5NF60LN-channel 60V - 0.045 - 5A - SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60V

6.1. Size:68K st
sts5nf60.pdf

STS5NF60LN - CHANNEL 60V - 0.045 - 5A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NF60L 60 V

9.1. Size:569K st
sts5n15f3.pdf

STS5N15F3N-channel 150 V, 0.045 , 5 A, SO-8STripFETTM III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F3 150 V

9.2. Size:277K st
sts5ns150.pdf

STS5NS150N-CHANNEL 150V - 0.075 - 5A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS5NS150 150 V

9.3. Size:712K st
sts5n15f4.pdf

STS5N15F4N-channel 150 V, 0.057, 5 A, SO-8STripFET DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS5N15F4 150 V

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: