STS5PF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS5PF30L
   Código: S5PF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS5PF30L

STS5PF30L Datasheet (PDF)

..1. Size:302K st
sts5pf30l.pdf

STS5PF30LP-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5PF30L 30V

8.1. Size:181K st
sts5pf20v.pdf

STS5PF20VP-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-82.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID

9.1. Size:532K st
sts5p3llh6.pdf

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: