STS5PF30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS5PF30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS5PF30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS5PF30L даташит

 ..1. Size:302K  st
 sts5pf30l.pdf pdf_icon

STS5PF30L

STS5PF30L P-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8 STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STS5PF30L 30V

 8.1. Size:181K  st
 sts5pf20v.pdf pdf_icon

STS5PF30L

STS5PF20V P-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID

 9.1. Size:532K  st
 sts5p3llh6.pdf pdf_icon

STS5PF30L

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATE Power MOSFET in an SO-8 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID 5 STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A 8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness 4 Low gate drive power loss 1 SO-8 Applications Switching applicat

Другие IGBT... STS4DPF20L, STS4DPF30L, STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, 7N60, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L