STS5PF30L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STS5PF30L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для STS5PF30L
STS5PF30L Datasheet (PDF)
sts5pf30l.pdf

STS5PF30LP-channel 30V - 0.045 - 5A SO-8STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTS5PF30L 30V
sts5pf20v.pdf

STS5PF20VP-CHANNEL 20V - 0.065 - 5ASO-82.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID
sts5p3llh6.pdf

STS5P3LLH6 P-channel 30 V, 0.048 typ., 5 A STripFET H6 DeepGATEPower MOSFET in an SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID5STS5P3LLH6 30 V 0.056 at 10 V 5 A8 Very low on-resistance RDS(on) Very low gate charge High avalanche ruggedness4 Low gate drive power loss1SO-8Applications Switching applicat
Другие MOSFET... STS4DPF20L , STS4DPF30L , STS4NF100 , STS5DNF20V , STS5DNF60L , STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , MMIS60R580P , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L .
History: TK40P04M1 | IRF2807ZLPBF | BUK7Y65-100E
History: TK40P04M1 | IRF2807ZLPBF | BUK7Y65-100E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312