STS7NF60L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STS7NF60L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0215 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STS7NF60L

STS7NF60L Datasheet (PDF)

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sts7nf60l.pdf

STS7NF60LN-CHANNEL 60V - 0.017 - 7.5A SO-8STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS7NF60L 60 V

..2. Size:860K cn vbsemi
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STS7NF60Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD C

8.1. Size:72K st
sts7nf30l.pdf