Справочник MOSFET. STS7NF60L

 

STS7NF60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS7NF60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для STS7NF60L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS7NF60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  st
sts7nf60l.pdfpdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60LN-CHANNEL 60V - 0.017 - 7.5A SO-8STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS7NF60L 60 V

 ..2. Size:860K  cn vbsemi
sts7nf60l.pdfpdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD C

 8.1. Size:72K  st
sts7nf30l.pdfpdf_icon

STS7NF60L

STS7NF30LN - CHANNEL 30V - 0.021 - 7A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS7NF30L 30 V

Другие MOSFET... STS4NF100 , STS5DNF20V , STS5DNF60L , STS5N15F3 , STS5N15F4 , STS5NF60L , STS5PF30L , STS6NF20V , STP65NF06 , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , STS9NF30L , STS9NF3LL , STT3PF20V .

History: AP92T03GH-HF | MCAC75N02 | 10N65KG-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.