STS7NF60L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS7NF60L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS7NF60L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS7NF60L даташит

 ..1. Size:285K  st
 sts7nf60l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60L N-CHANNEL 60V - 0.017 - 7.5A SO-8 STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS7NF60L 60 V

 ..2. Size:860K  cn vbsemi
 sts7nf60l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60L www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12.6 60 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11.6 Rectifier Operation 100 % Rg and UIS Tested APPLICATIONS D C

 8.1. Size:72K  st
 sts7nf30l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF30L N - CHANNEL 30V - 0.021 - 7A SO-8 STripFET POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STS7NF30L 30 V

Другие IGBT... STS4NF100, STS5DNF20V, STS5DNF60L, STS5N15F3, STS5N15F4, STS5NF60L, STS5PF30L, STS6NF20V, IRFZ46N, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, STS9NF30L, STS9NF3LL, STT3PF20V