Справочник MOSFET. STS7NF60L

 

STS7NF60L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS7NF60L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0215 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STS7NF60L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  st
 sts7nf60l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60LN-CHANNEL 60V - 0.017 - 7.5A SO-8STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS7NF60L 60 V

 ..2. Size:860K  cn vbsemi
 sts7nf60l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF60Lwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 12.660 10.5 nC Optimized for Low Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11.6Rectifier Operation 100 % Rg and UIS TestedAPPLICATIONSD C

 8.1. Size:72K  st
 sts7nf30l.pdf pdf_icon

STS7NF60L

STS7NF30LN - CHANNEL 30V - 0.021 - 7A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS7NF30L 30 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HY3506B | STS65R280DS2TR | FQB50N06 | FQB2N50TM | FQAF47P06

 

 
Back to Top

 


 
.