STS9NF30L Todos los transistores

 

STS9NF30L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS9NF30L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de STS9NF30L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STS9NF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  st
sts9nf30l.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NF30LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF30L 30 V

 7.1. Size:278K  st
sts9nf3ll.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF3LL 30 V

 9.1. Size:349K  st
sts9nh3ll.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NH3LLN-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS IDmaxSTS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reducedSO-8 Switching losses reducedApplication Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis application specific

Otros transistores... STS5PF30L , STS6NF20V , STS7NF60L , STS7PF30L , STS8C5H30L , STS8DN3LLH5 , STS8DNF3LL , STS9D8NH3LL , IRF9640 , STS9NF3LL , STT3PF20V , STU10NM60N , STU11NM60ND , STU12N65M5 , STU150N3LLH6 , STU16N65M5 , STU27N3LH5 .

History: BUZ73LH | AM4430N | PK615BMA | IRFS644 | 2SK3847K | SSM4924GM | VBZE100N03

 

 
Back to Top

 


 
.