Справочник MOSFET. STS9NF30L

 

STS9NF30L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS9NF30L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS9NF30L

 

 

STS9NF30L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  st
 sts9nf30l.pdf

STS9NF30L STS9NF30L

STS9NF30LN-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF30L 30 V

 7.1. Size:278K  st
 sts9nf3ll.pdf

STS9NF30L STS9NF30L

STS9NF3LLN-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTS9NF3LL 30 V

 9.1. Size:349K  st
 sts9nh3ll.pdf

STS9NF30L STS9NF30L

STS9NH3LLN-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8low gate charge STripFET III Power MOSFETFeatures RDS(on) Type VDSS IDmaxSTS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reducedSO-8 Switching losses reducedApplication Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThis application specific

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top