STS9NF30L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STS9NF30L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для STS9NF30L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS9NF30L даташит

 ..1. Size:281K  st
 sts9nf30l.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NF30L N-CHANNEL 30V - 0.015 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF30L 30 V

 7.1. Size:278K  st
 sts9nf3ll.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NF3LL N-CHANNEL 30V - 0.016 - 9A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET II POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STS9NF3LL 30 V

 9.1. Size:349K  st
 sts9nh3ll.pdf pdf_icon

STS9NF30L

STS9NH3LL N-channel 30 V - 0.018 - 9 A - SO-8 low gate charge STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID max STS9NH3LL 30 V 0.022 9 A Optimal RDS(on) x Qg trade-off @ 4.5 V Conduction losses reduced SO-8 Switching losses reduced Application Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram This application specific

Другие IGBT... STS5PF30L, STS6NF20V, STS7NF60L, STS7PF30L, STS8C5H30L, STS8DN3LLH5, STS8DNF3LL, STS9D8NH3LL, K2611, STS9NF3LL, STT3PF20V, STU10NM60N, STU11NM60ND, STU12N65M5, STU150N3LLH6, STU16N65M5, STU27N3LH5