STU12N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU12N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.43 Ohm
Encapsulados: TO251
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STU12N65M5 datasheet
std12n65m5 stf12n65m5 sti12n65m5 stp12n65m5 stu12n65m5.pdf
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5 STP12N65M5, STU12N65M5 N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh V Power MOSFET DPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAK Features VDSS @ RDS(on) Type ID PTOT 3 TJmax max 2 3 1 2 1 STD12N65M5 8.5 A 70 W IPAK TO-220 STF12N65M5 8.5 A(1) 25 W 3 STI12N65M5 710 V
stu12n60m2.pdf
STU12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT TAB STU12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAK Applications Switchi
stu12l01.pdf
Green Product STU12L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 140 @ VGS=10V TO-252 Package. 100V 12A 245 @ VGS=4.5V G S STU SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK C (TA=25 unless otherwise noted) A
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Liste
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