STU12N65M5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU12N65M5
Маркировка: 12N65M5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
Время нарастания (tr): 9.5 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.43 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для STU12N65M5
STU12N65M5 Datasheet (PDF)
std12n65m5 stf12n65m5 sti12n65m5 stp12n65m5 stu12n65m5.pdf
STD12N65M5, STF12N65M5, STI12N65M5STP12N65M5, STU12N65M5N-channel 650 V, 0.39 , 8.5 A MDmesh V Power MOSFETDPAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, IPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PTOT3TJmax max231 21STD12N65M5 8.5 A 70 WIPAK TO-220STF12N65M5 8.5 A(1) 25 W3STI12N65M5 710 V
stu12n60m2.pdf
STU12N60M2 N-channel 600 V, 0.395 typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in an IPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTTABSTU12N60M2 600 V 0.450 9 A 85 W Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (COSS) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected IPAKApplications Switchi
stu12l01.pdf
GreenProductSTU12L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.2N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.140 @ VGS=10VTO-252 Package.100V 12A245 @ VGS=4.5VGSSTU SERIES( )TO - 252AA D- PAKC(TA=25 unless otherwise noted)A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: OSG65R420AF
