STU65N3LLH5 Todos los transistores

 

STU65N3LLH5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU65N3LLH5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

 Búsqueda de reemplazo de STU65N3LLH5 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STU65N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

 9.1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25

Otros transistores... STU3N62K3 , STU4N52K3 , STU4N62K3 , STU5N52K3 , STU5N62K3 , STU5N95K3 , STU60N3LH5 , STU60N55F3 , IRF1404 , STU6N62K3 , STU6NF10 , STU70N2LH5 , STU75N3LLH6 , STU75N3LLH6-S , STU7NM60N , STU85N3LH5 , STU8N65M5 .

History: 17P10G-TF3-T | 1N65L-AA3-R | 19N10L-TN3-R | 30N03A | 1N65G-TF3-T | BL3N150-W | 17P10L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.