STU65N3LLH5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU65N3LLH5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de STU65N3LLH5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STU65N3LLH5 datasheet

 ..1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

 9.1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

Otros transistores... STU3N62K3, STU4N52K3, STU4N62K3, STU5N52K3, STU5N62K3, STU5N95K3, STU60N3LH5, STU60N55F3, IRF1404, STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5, STU8N65M5