STU65N3LLH5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU65N3LLH5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU65N3LLH5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU65N3LLH5 даташит

 ..1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

 9.1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

Green Product STU/D650S a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 75 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 16A 65V 97 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK ( ) TO - 25

Другие IGBT... STU3N62K3, STU4N52K3, STU4N62K3, STU5N52K3, STU5N62K3, STU5N95K3, STU60N3LH5, STU60N55F3, IRF1404, STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5, STU8N65M5