Справочник MOSFET. STU65N3LLH5

 

STU65N3LLH5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU65N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для STU65N3LLH5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU65N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

 9.1. Size:121K  samhop
 stu650s std650s.pdf pdf_icon

STU65N3LLH5

GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25

Другие MOSFET... STU3N62K3 , STU4N52K3 , STU4N62K3 , STU5N52K3 , STU5N62K3 , STU5N95K3 , STU60N3LH5 , STU60N55F3 , IRF1404 , STU6N62K3 , STU6NF10 , STU70N2LH5 , STU75N3LLH6 , STU75N3LLH6-S , STU7NM60N , STU85N3LH5 , STU8N65M5 .

History: TPP65R360M | IXFT30N40Q | IPA65R065C7 | PHD18NQ10T | SM6011NSF | H02N60SI | HM19N40

 

 
Back to Top

 


 
.