Справочник MOSFET. STU65N3LLH5

 

STU65N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU65N3LLH5
   Маркировка: 65N3LLH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 22 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 11.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для STU65N3LLH5

 

 

STU65N3LLH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  st
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf

STU65N3LLH5 STU65N3LLH5

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

 9.1. Size:121K  samhop
stu650s std650s.pdf

STU65N3LLH5 STU65N3LLH5

GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top