STU65N3LLH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU65N3LLH5
Маркировка: 65N3LLH5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 22 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 11.2 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0073 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для STU65N3LLH5
STU65N3LLH5 Datasheet (PDF)
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow
stu650s std650s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .