STU75N3LLH6-S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STU75N3LLH6-S
   Código: 75N3LLH6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU75N3LLH6-S

STU75N3LLH6-S Datasheet (PDF)

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std75n3llh6 stu75n3llh6 stu75n3llh6-s.pdf

STD75N3LLH6STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-SN-channel 30 V, 0.0042 , 75 A, DPAK, IPAK, Short IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max ID31STD75N3LLH6 30 V

..2. Size:1110K st
std75n3llh6 stp75n3llh6 stu75n3llh6 stu75n3llh6-s.pdf

STD75N3LLH6, STP75N3LLH6STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-SN-channel 30 V, 0.0042 , 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAKSTripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesTABTABOrder codes VDSS RDS(on) max ID31STD75N3LLH6

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: