STU75N3LLH6-S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STU75N3LLH6-S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU75N3LLH6-S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STU75N3LLH6-S даташит

 ..1. Size:948K  st
 std75n3llh6 stu75n3llh6 stu75n3llh6-s.pdf pdf_icon

STU75N3LLH6-S

 ..2. Size:1110K  st
 std75n3llh6 stp75n3llh6 stu75n3llh6 stu75n3llh6-s.pdf pdf_icon

STU75N3LLH6-S

STD75N3LLH6, STP75N3LLH6 STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S N-channel 30 V, 0.0042 , 75 A, DPAK, TO-220, IPAK, Short IPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features TAB TAB Order codes VDSS RDS(on) max ID 3 1 STD75N3LLH6

Другие IGBT... STU5N95K3, STU60N3LH5, STU60N55F3, STU65N3LLH5, STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, AO3400, STU7NM60N, STU85N3LH5, STU8N65M5, STU8NM50N, STU8NM60ND, STU90N4F3, STU95N2LH5, STU95N3LLH6