STU8NM50N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STU8NM50N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de STU8NM50N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STU8NM50N datasheet

 ..1. Size:1402K  st
 std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STU8NM50N

STD8NM50N, STF8NM50N STP8NM50N, STU8NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FP Features Order codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID 3 3 1 2 STD8NM50N 1 DPAK STF8NM50N IPAK 550 V

 8.1. Size:726K  st
 std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STU8NM50N

STD8NM60ND, STF8NM60ND STP8NM60ND, STU8NM60ND N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STD8NM60ND 650 V

 9.1. Size:71K  st
 stu8na80.pdf pdf_icon

STU8NM50N

STU8NA80 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STU8NA80 800 V

 9.2. Size:413K  st
 stu8nc90z.pdf pdf_icon

STU8NM50N

STU8NC90Z STU8NC90ZI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STU8NC90Z 900 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STU6N62K3, STU6NF10, STU70N2LH5, STU75N3LLH6, STU75N3LLH6-S, STU7NM60N, STU85N3LH5, STU8N65M5, AON6414A, STU8NM60ND, STU90N4F3, STU95N2LH5, STU95N3LLH6, STV240N75F3, STV250N55F3, STV270N4F3, STV300NH02L