STU8NM50N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU8NM50N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU8NM50N Datasheet (PDF)
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V
stu8na80.pdf

STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V
stu8nc90z.pdf

STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: MCH3484 | DMN30H4D0L
History: MCH3484 | DMN30H4D0L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement