STU8NM60ND Todos los transistores

 

STU8NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU8NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

STU8NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  st
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STU8NM60ND

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

 8.1. Size:1402K  st
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf pdf_icon

STU8NM60ND

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

 9.1. Size:71K  st
stu8na80.pdf pdf_icon

STU8NM60ND

STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V

 9.2. Size:413K  st
stu8nc90z.pdf pdf_icon

STU8NM60ND

STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP45NE06FP | FSJ9260D | SML120B8 | RTL035N03FRA | TA75333

 

 
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