STU8NM60ND - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STU8NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для STU8NM60ND
STU8NM60ND Datasheet (PDF)
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf
STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf
STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V
stu8na80.pdf
STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V
stu8nc90z.pdf
STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V
Другие MOSFET... STU6NF10 , STU70N2LH5 , STU75N3LLH6 , STU75N3LLH6-S , STU7NM60N , STU85N3LH5 , STU8N65M5 , STU8NM50N , IRFB4115 , STU90N4F3 , STU95N2LH5 , STU95N3LLH6 , STV240N75F3 , STV250N55F3 , STV270N4F3 , STV300NH02L , STW10NK60Z .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665









