Справочник MOSFET. STU8NM60ND

 

STU8NM60ND Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU8NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU8NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  st
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdfpdf_icon

STU8NM60ND

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

 8.1. Size:1402K  st
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdfpdf_icon

STU8NM60ND

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

 9.1. Size:71K  st
stu8na80.pdfpdf_icon

STU8NM60ND

STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V

 9.2. Size:413K  st
stu8nc90z.pdfpdf_icon

STU8NM60ND

STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SM6A12NSFP | AP6679GI-HF | DM12N65C | SPD04N60S5 | CTD03N003 | NTD4855N-1G | FCPF7N60YDTU

 

 
Back to Top

 


 
.