STU8NM60ND - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STU8NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STU8NM60ND
   Маркировка: 8NM60ND
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для STU8NM60ND

STU8NM60ND Datasheet (PDF)

..1. Size:726K st
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

8.1. Size:1402K st
std8nm50n stf8nm50n stp8nm50n stu8nm50n.pdf

STD8NM50N, STF8NM50NSTP8NM50N, STU8NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220 and TO-220FPFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID3312STD8NM50N1DPAKSTF8NM50NIPAK550 V

9.1. Size:71K st
stu8na80.pdf

STU8NA80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTU8NA80 800 V

9.2. Size:413K st
stu8nc90z.pdf

STU8NC90ZSTU8NC90ZIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A Max220/I-Max220Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTU8NC90Z 900 V

9.3. Size:1185K st
stp8n80k5 stu8n80k5.pdf

STP8N80K5, STU8N80K5N-channel 800 V, 0.8 typ., 6 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on)max. ID PTOTSTP8N80K5TAB800 V 0.95 6 A 110 WTABSTU8N80K53 Worldwide best FOM (figure of merit)2132 Ultra low gate charge1IPAKTO-220 100% avalanche tested

9.4. Size:1239K st
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 sti8n65m5 stp8n65m5 stu8n65m5.pdf

STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5N-channel 650 V, 0.56 , 7 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAKFeaturesType VDSS @ TJmax RDS(on) max. ID3STB8N65M5133STD8N65M522DPAK1 1STF8N65M5TO-220710 V

9.5. Size:1298K st
stb8n65m5 std8n65m5 stf8n65m5 stu8n65m5 stp8n65m5 sti8n65m5.pdf